近日，由世紀電源網(wǎng)主辦的“第四屆電源行業(yè)配套品牌頒獎晚會(huì )”在深圳隆重舉行。在備受矚目的頒獎環(huán)節，濟南魯晶半導體科技有限公司憑借在碳化硅（SiC）功率半導體領(lǐng)域的卓越表現與創(chuàng )新突破，成功摘得“SiC行業(yè)突破獎”。此項榮譽(yù)，是行業(yè)權威機構對魯晶半導體技術(shù)實(shí)力、產(chǎn)品競爭力及市場(chǎng)貢獻的充分肯定。
“電源行業(yè)配套品牌評選”始終秉持客觀(guān)、真實(shí)、公開(kāi)的原則，旨在遴選出電源產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節的標桿企業(yè)，推動(dòng)行業(yè)整體技術(shù)進(jìn)步與生態(tài)繁榮。本次榮獲“SiC行業(yè)突破獎”，標志著(zhù)魯晶半導體在第三代半導體這一戰略性新興領(lǐng)域已建立起顯著(zhù)的先發(fā)優(yōu)勢與品牌影響力。
技術(shù)突破：開(kāi)啟高壓應用新紀元
作為國內領(lǐng)先的功率器件產(chǎn)品與方案提供商，魯晶半導體長(cháng)期致力于Si/SiC功率器件的研究與產(chǎn)業(yè)化。公司聚焦碳化硅MOSFET、碳化硅 SBD等核心產(chǎn)品，依托自主可控的制造工藝與封裝測試能力，持續進(jìn)行技術(shù)攻關(guān)與迭代，現已形成完整的碳化硅功率器件產(chǎn)品矩陣，覆蓋650V至5000V電壓等級，廣泛應用于多個(gè)關(guān)鍵領(lǐng)域。
在產(chǎn)品布局上，公司已成功推出650V-5000V系列碳化硅肖特基二極管與1200V-3300V系列碳化硅MOSFET，可滿(mǎn)足從消費級到工業(yè)級的多樣化需求。其中，以1200V/100A、3300V/10A等高電壓大電流碳化硅二極管，以及1200V/20mΩ等低導通電阻碳化硅MOSFET為代表的高性能產(chǎn)品系列，憑借其優(yōu)異的開(kāi)關(guān)特性、高可靠性、高功率密度與卓越的性?xún)r(jià)比，已在國內主流光伏逆變、新能源汽車(chē)電驅/OBC、工業(yè)電源、充電樁等高端應用中獲得客戶(hù)廣泛驗證與批量使用。
此次獲獎，不僅是一份榮譽(yù)，更是一份動(dòng)力。它見(jiàn)證了魯晶半導體在國產(chǎn)化替代與技術(shù)創(chuàng )新道路上的堅實(shí)足跡。
展望未來(lái)，魯晶半導體將以此為契機，繼續深化在碳化硅功率半導體器件領(lǐng)域的布局，加大研發(fā)投入，不斷突破技術(shù)壁壘。
公司將始終以客戶(hù)需求為導向，攜手產(chǎn)業(yè)鏈合作伙伴，共同推動(dòng)SiC技術(shù)的普及與應用，為我國電力電子產(chǎn)業(yè)的高質(zhì)量發(fā)展和國家“雙碳”戰略目標的實(shí)現，貢獻更多智慧和力量。
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