在負載點(diǎn)（POL）降壓轉換器領(lǐng)域，同步變化的高邊和低邊有源開(kāi)關(guān)已被廣泛使用。圖1顯示了具有理想開(kāi)關(guān)的此類(lèi)電路。

與使用無(wú)源肖特基二極管作為低邊開(kāi)關(guān)的架構相比，此類(lèi)開(kāi)關(guān)穩壓器具有多項優(yōu)勢。主要優(yōu)勢是電壓轉換效率更高，因為與采用無(wú)源二極管的情況相比，低端開(kāi)關(guān)承載電流時(shí)的壓降更低。

但是，與異步開(kāi)關(guān)穩壓器相比，同步降壓轉換器會(huì )產(chǎn)生更大的干擾。如果圖1中的兩個(gè)理想開(kāi)關(guān)同時(shí)導通，即使時(shí)間很短，也會(huì )發(fā)生從輸入電壓到地的短路。這會(huì )損壞開(kāi)關(guān)。必須確保兩個(gè)開(kāi)關(guān)永遠不會(huì )同時(shí)導通。

因此，出于安全考慮，需要在一定時(shí)間內保持兩個(gè)開(kāi)關(guān)都斷開(kāi)。這個(gè)時(shí)間稱(chēng)為開(kāi)關(guān)穩壓器的死區時(shí)間。但是，從開(kāi)關(guān)節點(diǎn)到輸出電壓連接了一個(gè)載流電感（L1）。

通過(guò)電感的電流永遠不會(huì )發(fā)生瞬間變化。電流會(huì )連續增加和減少，但它永遠不會(huì )跳變。因此，在死區時(shí)間內會(huì )產(chǎn)生問(wèn)題。所有電流路徑在開(kāi)關(guān)節點(diǎn)側中斷。采用圖1所示的理想開(kāi)關(guān)，在死區時(shí)間內會(huì )在開(kāi)關(guān)節點(diǎn)處產(chǎn)生負無(wú)窮大的電壓。在實(shí)際開(kāi)關(guān)中，電壓負值將變得越來(lái)越大，直到兩個(gè)開(kāi)關(guān)中的一個(gè)被擊穿并允許電流通過(guò)。

圖1．用于降壓轉換、采用理想開(kāi)關(guān)的同步開(kāi)關(guān)穩壓器

大多數開(kāi)關(guān)穩壓器使用N溝道MOSFET作為有源開(kāi)關(guān)。這些開(kāi)關(guān)針對上述情況具有非常有優(yōu)勢的特性。

除了具有本身的開(kāi)關(guān)功能外，MOSFET還具有所謂的體二極管。半導體的源極和漏極之間存在一個(gè)P－N結。

在圖2中，插入了具有相應P－N結的MOSFET。由此，即使在死區時(shí)間內，開(kāi)關(guān)節點(diǎn)的電壓也不會(huì )下降到負無(wú)窮大，而是通過(guò)低端MOSFET中的P－N結（如紅色所示）承載電流，直到死區時(shí)間結束并且低端MOSFET導通為止。