MOS晶體管是電場(chǎng)效應控制電流大小的單極型半導體器件。在其輸入端基本不取電流或電流極小，具有輸入阻抗高、噪聲低、熱穩定性好、制造工藝簡(jiǎn)單等特點(diǎn)，在大規模和超大規模集成電路中被應用。本文我們主要介紹MOS晶體管的分類(lèi)有哪些？

下面我們主要從兩個(gè)方面來(lái)介紹MOS晶體管的分類(lèi)：

MOS晶體管按溝道區中載流子類(lèi)型分為兩類(lèi)：N溝MOS晶體管和P溝MOS晶體管。

N溝MOS晶體管：襯底為P型，源漏為重摻雜的N+，溝道中載流子為電子；

P溝MOS晶體管：襯底為N型，源漏為重摻雜的P+，溝道中載流子為空穴。

在正常情況下，只有一種類(lèi)型的載流子在工作，因此也稱(chēng)其為單極晶體管。

MOS晶體管按工作模式分為增強型晶體管和耗盡型晶體管：

增強型晶體管：若在零柵壓下不存在漏源導電溝道，為了形成導電溝道，需要施加一定的柵壓，也就是說(shuō)溝道要通過(guò)“增強”才能導通；

耗盡型晶體管：器件本身在漏源之間就存在導電溝道，即使在零柵壓下器件也是導通的。若要使器件截止，就必須施加柵壓使溝道耗盡。

MOS晶體管件憑借其低功耗、性能穩定、抗輻射能力強等優(yōu)勢，在集成電路中已經(jīng)有逐漸取代三極管的趨勢。但它還是非常嬌貴的，雖然多數已經(jīng)內置了保護二極管，但稍不注意，也會(huì )損壞，在使用過(guò)程中要注意電路負載情況。

濟南魯晶半導體有限公司是一家以半導體二極管、三極管、MOS管、碳化硅器件研發(fā)、生產(chǎn)、銷(xiāo)售為主導的高新技術(shù)企業(yè)，對于產(chǎn)品的質(zhì)量及參數有較高的要求，且型號眾多，提供客戶(hù)最優(yōu)方案。