濟南魯晶半導體有限公司生產(chǎn)的產(chǎn)品范圍包括有：快恢復二極管、肖特基二極管、三極管、MOS管，整流橋，以及寬禁帶（WBG）半導體器件，涵蓋電動(dòng)工具、新能源汽車(chē)、充電樁、特種電源等應用領(lǐng)域。更多規格參數及封裝產(chǎn)品請咨詢(xún)我司人員，官方400電話(huà)400-4001-4007，期待與您的合作！ 

場(chǎng)效應管(FET)是場(chǎng)效應晶體管(field-effect transistor)的簡(jiǎn)稱(chēng)，它是一種通過(guò)電場(chǎng)效應控制電流的電子元件。它依靠電場(chǎng)去控制導電溝道形狀，因此能控制半導體材料中某種類(lèi)型載流子的溝道的導電性。

場(chǎng)效應管不但具有雙極性晶體管體積小、重量輕、壽命長(cháng)等優(yōu)點(diǎn)，而且噪聲低，熱穩定性好，抗輻射能力強，使之廣泛地應用于各種電子電路之中。

所有的場(chǎng)效應管都有柵極g(gate)、漏極d(drain)、源極s(source)三個(gè)極，分別對應雙極性晶體管的基極b(base)、集電極c(collector)和發(fā)射極e(emitter)。除了結型場(chǎng)效應管外，所有的FET也有第四端，被稱(chēng)為體(body)、基(base)、塊體(bulk)或襯底(substrate)。P區與N區交界面形成耗盡層，而漏極d與源極s間的非耗盡層區域稱(chēng)為導電溝道。

接下來(lái)我們介紹一下場(chǎng)效應管的制造工藝，根據MOS管的微電子學(xué)原理，在用離子注入時(shí)，摻雜原子在器件溝道位置的隨機變化將影響MOS管電參數的變化。當MOS管的尺寸減小時(shí)，摻雜原子在器件中的平均數量將減小。作為一個(gè)結果，摻雜原子數目和它們在器件溝道中的所在位置的隨機變化將增加。

在標準的制造工藝中，摻雜原子通過(guò)隨機散射過(guò)程在溝道中找到它們的所在位置。因此，摻雜原子在溝道中的數目和排列的隨機效應是器件的固有效應，人們不能在標準的制造工藝中把它們取消掉。這個(gè)效應將導致器件和整個(gè)電路的性能, 例如電流的驅動(dòng)能力和傳輸滯后的隨機變化。其中摻雜原子在溝道中的數目和排列的隨機效應也將引起MOS管閾值電壓的隨機變化。這些將直接導致由于溝道長(cháng)度減小而使器件的性能變壞。